IPD80R1K4CEATMA1

IR (Infineon Technologies)
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Detalhes técnicos

  • Series:CoolMOS™
  • Pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Status da peça:Active
  • Tipo FET:N-Channel
  • Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drene para a tensão da fonte (Vdss):800 V
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) a 25 ° C:3.9A (Tc)
  • Tensão da unidade (Max Rds On, Min Rds On):10V
  • Rds ligado (máx.) @ Id, Vgs:1.4Ohm @ 2.3A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id:3.9V @ 240µA

 

  • Carga do portão (Qg) (máx.) @ Vgs:23 nC @ 10 V
  • Vgs (Max):±20V
  • Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:570 pF @ 100 V
  • Recurso FET:-
  • Dissipação de energia (máx.):63W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem:Surface Mount
  • Pacote de dispositivo do fornecedor:PG-TO252-3
  • Embalagem / Caixa:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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